Продукція > ONSEMI > NTHL020N090SC1
NTHL020N090SC1

NTHL020N090SC1 ONSEMI


ONSM-S-A0017607183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1688.54 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL020N090SC1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 503W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTHL020N090SC1 за ціною від 1106.22 грн до 1976.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : onsemi nthl020n090sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1845.23 грн
30+ 1473.45 грн
120+ 1381.36 грн
510+ 1106.22 грн
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : onsemi NTHL020N090SC1_D-2318734.pdf MOSFET 20MOHM 900V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1976.94 грн
10+ 1731.75 грн
25+ 1450.08 грн
50+ 1425.5 грн
100+ 1317.22 грн
250+ 1268.73 грн
450+ 1130.57 грн
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : ONSEMI NTHL020N090SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 427A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : ONSEMI NTHL020N090SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 427A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній