на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1388.36 грн |
| 10+ | 1206.18 грн |
| 25+ | 1048.18 грн |
| 50+ | 907 грн |
| 250+ | 821.76 грн |
| 450+ | 815.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL033N65S3HF onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTHL033N65S3HF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL033N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
NTHL033N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
NTHL033N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
| NTHL033N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 53A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 450 шт |
товар відсутній |
||
 |
NTHL033N65S3HF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|
| NTHL033N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 53A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |