NTJS3157NT1G

NTJS3157NT1G ON Semiconductor


ntjs3157n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJS3157NT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTJS3157NT1G за ціною від 6.52 грн до 33.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Виробник : onsemi ntjs3157n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.85 грн
6000+ 7.24 грн
9000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Виробник : onsemi ntjs3157n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.89 грн
13+ 21.77 грн
100+ 13.04 грн
500+ 11.33 грн
1000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Виробник : onsemi NTJS3157N_D-2318680.pdf MOSFET 20V 4A N-Channel
на замовлення 156664 шт:
термін постачання 469-478 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.65 грн
12+ 27.1 грн
100+ 16.02 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 9.01 грн
3000+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Виробник : ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs3157n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs3157n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Виробник : ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній