Продукція > ONSEMI > NTJS4151PT1G
NTJS4151PT1G

NTJS4151PT1G onsemi


ntjs4151p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.03 грн
6000+ 6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJS4151PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTJS4151PT1G за ціною від 5.84 грн до 32.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.18 грн
45+ 8.48 грн
100+ 7.51 грн
120+ 6.88 грн
325+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014983106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.73 грн
500+ 10.99 грн
1000+ 7.57 грн
3000+ 6.09 грн
6000+ 5.96 грн
12000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.82 грн
25+ 10.57 грн
100+ 9.01 грн
120+ 8.26 грн
325+ 7.81 грн
3000+ 7.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
452+25.9 грн
655+ 17.89 грн
661+ 17.71 грн
874+ 12.92 грн
1244+ 8.4 грн
3000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 452
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : onsemi ntjs4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 6715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26 грн
15+ 19.47 грн
100+ 11.68 грн
500+ 10.15 грн
1000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : onsemi NTJS4151P_D-2318568.pdf MOSFET -20V -4.2A P-Channel
на замовлення 64933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.49 грн
15+ 21.42 грн
100+ 10.35 грн
1000+ 7.54 грн
3000+ 6.48 грн
9000+ 6.01 грн
24000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.58 грн
24+ 24.29 грн
25+ 24.05 грн
100+ 16.02 грн
250+ 14.68 грн
500+ 10.66 грн
1000+ 7.49 грн
3000+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 21
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014983106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.65 грн
29+ 25.91 грн
100+ 15.73 грн
500+ 10.99 грн
1000+ 7.57 грн
3000+ 6.09 грн
6000+ 5.96 грн
12000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 23
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній