Продукція > ONSEMI > NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G

NTLJD3115PT1G onsemi

ntljd3115p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.53 грн
6000+ 15.08 грн
9000+ 13.96 грн
30000+ 12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJD3115PT1G onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 710mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2).

Інші пропозиції NTLJD3115PT1G за ціною від 14.15 грн до 43.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTLJD3115PT1G NTLJD3115PT1G Виробник : onsemi NTLJD3115P_D-2318569.pdf MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 6728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.58 грн
10+ 35.16 грн
100+ 21.7 грн
500+ 19.96 грн
1000+ 17.36 грн
3000+ 14.82 грн
6000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLJD3115PT1G NTLJD3115PT1G Виробник : onsemi ntljd3115p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 101592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.33 грн
10+ 36.23 грн
100+ 25.13 грн
500+ 19.7 грн
1000+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJD3115PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljd3115p-d.pdf
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3115PT1G NTLJD3115PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljd3115p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній