Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1G

NTLJF3117PT1G ON Semiconductor

ntljf3117p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJF3117PT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTLJF3117PT1G за ціною від 9.08 грн до 35.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : onsemi ntljf3117p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.05 грн
6000+ 10.1 грн
9000+ 9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : ONSEMI NTLJF3117P-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.94 грн
500+ 16.76 грн
1000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : onsemi ntljf3117p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 9363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.5 грн
11+ 26.98 грн
100+ 18.75 грн
500+ 13.74 грн
1000+ 11.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : onsemi NTLJF3117P_D-2318970.pdf MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 29875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.52 грн
11+ 30.02 грн
100+ 18.16 грн
500+ 14.15 грн
1000+ 11.55 грн
3000+ 9.75 грн
9000+ 9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : ONSEMI NTLJF3117P-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+35.95 грн
26+ 29.43 грн
100+ 19.77 грн
500+ 11.34 грн
Мінімальне замовлення: 21
NTLJF3117PT1G Виробник : ON ntljf3117p-d.pdf 09+ SOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1G Виробник : ON ntljf3117p-d.pdf QFN
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1G Виробник : ON ntljf3117p-d.pdf WDFN-6
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljf3117p-d.pdf
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljf3117p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljf3117p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній