Продукція > ONSEMI > NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G ONSEMI

ONSM-S-A0014426505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.44 грн
500+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJF4156NT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTLJF4156NT1G за ціною від 14.79 грн до 55.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G Виробник : onsemi ntljf4156n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.33 грн
10+ 35.68 грн
100+ 24.84 грн
500+ 18.2 грн
1000+ 14.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014426505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+46.21 грн
20+ 38.34 грн
100+ 26.44 грн
500+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G Виробник : onsemi NTLJF4156N_D-1814044.pdf MOSFET NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.3 грн
10+ 46.68 грн
100+ 30.31 грн
500+ 23.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJF4156NT1G Виробник : ON Semiconductor ntljf4156n-d.pdf
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G Виробник : onsemi ntljf4156n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товар відсутній