на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMD6P02R2G ON Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -5.7A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції NTMD6P02R2G за ціною від 25.2 грн до 88.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMD6P02R2G | Виробник : onsemi |
 MOSFET 20V 6A P-Channel |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMD6P02R2G | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NTMD6P02R2G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTMD6P02R2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTMD6P02R2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTMD6P02R2G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |