NTMFS4C08NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 21.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C08NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 0.0046 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.51W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.51W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTMFS4C08NT1G за ціною від 22.55 грн до 108.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C08NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V |
на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 0.0046 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 2.51W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 0.0046 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.51W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.51W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
NTMFS4C08NT1G Код товару: 142967 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товар відсутній |