NTMFS4C10NT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 383254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 38.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C10NT1G ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTMFS4C10NT1G за ціною від 12.99 грн до 84.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS4C10NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 46A, 6.95mohm |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS4C10NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS4C10NT1G Код товару: 175661 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V |
товар відсутній |