на замовлення 8780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 47.18 грн |
10+ | 40.32 грн |
100+ | 24.29 грн |
500+ | 20.29 грн |
3000+ | 18.77 грн |
9000+ | 13.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H864NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFS6H864NLT1G за ціною від 28.47 грн до 62.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTMFS6H864NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTMFS6H864NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
NTMFS6H864NLT1G | Виробник : ON Semiconductor | MOSFET Power, Single, N Channel, 80 V, 29m 22 A |
товар відсутній |
||||||||||||
NTMFS6H864NLT1G | Виробник : ON Semiconductor | MOSFET Power, Single, N Channel, 80 V, 29m 22 A |
товар відсутній |
||||||||||||
NTMFS6H864NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V |
товар відсутній |