на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 13.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMS4816NR2G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTMS4816NR2G за ціною від 21.74 грн до 51.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMS4816NR2G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMS4816NR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMS4816NR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS4816NR2G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9A, SOIC-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 170740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMS4816NR2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
NTMS4816NR2G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
NTMS4816NR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| NTMS4816NR2G | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 1326 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| NTMS4816NR2G | Виробник : ON Semicondu |
2007 |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| NTMS4816NR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2507 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
NTMS4816NR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTMS4816NR2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V |
товар відсутній |