NTMS4N01R2 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4N01R2 - NTMS4N01R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMS4N01R2 ONSEMI
Description: MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs (Max): ±10V.
Інші пропозиції NTMS4N01R2 за ціною від 12.78 грн до 12.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMS4N01R2 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs (Max): ±10V |
на замовлення 17191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| NTMS4N01R2 | Виробник : ON |
0049+ |
на замовлення 26215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |