Продукція > ONSEMI > NTMS4N01R2G
NTMS4N01R2G

NTMS4N01R2G onsemi

ntms4n01r2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1158+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 1158
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMS4N01R2G onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTMS4N01R2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMS4N01R2G ntms4n01r2-d.pdf
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMS4N01R2G NTMS4N01R2G Виробник : onsemi ntms4n01r2-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товар відсутній