NTP2955


Виробник:

на замовлення 4099 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTP2955

Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTP2955

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTP2955 NTP2955 Виробник : onsemi Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товар відсутній
NTP2955 NTP2955 Виробник : ON Semiconductor ntp2955-d-1194447.pdf MOSFET -60V -12A
товар відсутній