на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR3A30PZT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.
Інші пропозиції NTR3A30PZT1G за ціною від 15.68 грн до 62.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR3A30PZT1G | Виробник : onsemi |
 MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH |
на замовлення 37170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR3A30PZT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR3A30PZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
на замовлення 6250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
NTR3A30PZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
NTR3A30PZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTR3A30PZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2986 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |