на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4170NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTR4170NT1G за ціною від 6.24 грн до 28.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4170NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4170NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.7A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.48W Kind of package: reel; tape |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4170NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.7A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.48W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4170NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V |
на замовлення 4073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4170NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET SOT23 30V 4A TR |
на замовлення 197138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|