Продукція > ON > NTS4101PT1

NTS4101PT1 ON


nts4101p-d.pdf Виробник: ON
07+;
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4101PT1 ON

Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 329mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTS4101PT1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTS4101PT1 NTS4101PT1 Виробник : onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
товар відсутній
NTS4101PT1 NTS4101PT1 Виробник : onsemi NTS4101P_D-2319206.pdf MOSFET -20V -1.37A
товар відсутній