NTTFS4824NTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 57.77 грн |
| 10+ | 45.55 грн |
| 100+ | 35.4 грн |
| 500+ | 28.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4824NTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V.
Інші пропозиції NTTFS4824NTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFS4824NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5mOhm |
на замовлення 2629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NTTFS4824NTAG |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
|
NTTFS4824NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V |
товар відсутній |