NTZD5110NT1G ON Semiconductor
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2200+ | 5.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZD5110NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NTZD5110NT1G за ціною від 3.67 грн до 26.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTZD5110NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 16768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZD5110NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZD5110NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 16768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZD5110NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 7689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTZD5110NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH |
на замовлення 394339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTZD5110NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTZD5110NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
NTZD5110NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.225A Power dissipation: 0.28W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTZD5110NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.225A Power dissipation: 0.28W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |