Продукція > ONSEMI > NVB125N65S3
NVB125N65S3

NVB125N65S3 onsemi

nvb125n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+159.22 грн
1600+ 131.28 грн
2400+ 123.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB125N65S3 onsemi

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 181W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NVB125N65S3 за ціною від 124.84 грн до 282.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVB125N65S3 NVB125N65S3 Виробник : onsemi nvb125n65s3-d.pdf Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.59 грн
10+ 213.15 грн
100+ 172.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB125N65S3 NVB125N65S3 Виробник : onsemi NVB125N65S3_D-2319517.pdf MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK AUTO
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.73 грн
10+ 233.4 грн
25+ 197.61 грн
100+ 164.23 грн
250+ 159.56 грн
500+ 154.89 грн
800+ 124.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB125N65S3 Виробник : ON Semiconductor nvb125n65s3-d.pdf MOSFET Power, N Channel, Automotive, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m
товар відсутній
NVB125N65S3 Виробник : ON Semiconductor nvb125n65s3-d.pdf MOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m
товар відсутній