Продукція > ONSEMI > NVB260N65S3
NVB260N65S3

NVB260N65S3 onsemi

NVB260N65S3_D-2319718.pdf Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 260MOHM, D2PAK AUTO
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.41 грн
10+ 175.05 грн
100+ 120.84 грн
500+ 97.47 грн
800+ 84.12 грн
2400+ 79.45 грн
4800+ 78.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB260N65S3 onsemi

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NVB260N65S3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVB260N65S3 Виробник : ON Semiconductor nvb260n65s3-d.pdf
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVB260N65S3 Виробник : ON Semiconductor nvb260n65s3-d.pdf Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m
товар відсутній
NVB260N65S3 Виробник : ON Semiconductor nvb260n65s3-d.pdf Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVB260N65S3 NVB260N65S3 Виробник : onsemi nvb260n65s3-d.pdf Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
товар відсутній
NVB260N65S3 NVB260N65S3 Виробник : onsemi nvb260n65s3-d.pdf Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
товар відсутній