Продукція > ONSEMI > NVDS015N15MCT4G
NVDS015N15MCT4G

NVDS015N15MCT4G onsemi


nvds015n15mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
на замовлення 1024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.99 грн
10+ 103.83 грн
100+ 82.64 грн
500+ 65.62 грн
1000+ 55.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVDS015N15MCT4G onsemi

Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V.

Інші пропозиції NVDS015N15MCT4G за ціною від 53.08 грн до 150.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVDS015N15MCT4G NVDS015N15MCT4G Виробник : onsemi NVDS015N15MC_D-2319519.pdf MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 15 mohm, 61.3 A
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.32 грн
10+ 133.59 грн
100+ 93.47 грн
500+ 76.78 грн
1000+ 63.36 грн
2500+ 54.74 грн
5000+ 53.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVDS015N15MCT4G Виробник : ON Semiconductor nvds015n15mc-d.pdf N Channel Shielded Gate Power Trench 150 V, 15 m, 61.3 A
товар відсутній
NVDS015N15MCT4G NVDS015N15MCT4G Виробник : onsemi nvds015n15mc-d.pdf Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
товар відсутній