NVF6P02T3G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 37.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVF6P02T3G onsemi
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 8.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVF6P02T3G за ціною від 30.98 грн до 99.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVF6P02T3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 8.3W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVF6P02T3G | Виробник : onsemi |
MOSFET POWER MOSFET |
на замовлення 3043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVF6P02T3G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V |
на замовлення 9207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVF6P02T3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 8.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVF6P02T3G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1204 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NVF6P02T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |