Продукція > ONSEMI > NVMFD024N06CT1G
NVMFD024N06CT1G

NVMFD024N06CT1G onsemi

nvmfd024n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+69.02 грн
3000+ 63.14 грн
7500+ 60.77 грн
10500+ 55.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD024N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFD024N06CT1G за ціною від 61.02 грн до 155.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFD024N06CT1G NVMFD024N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd024n06c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.16 грн
10+ 116.28 грн
100+ 92.58 грн
500+ 73.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD024N06CT1G NVMFD024N06CT1G Виробник : onsemi NVMFD024N06C_D-2319756.pdf MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.78 грн
10+ 127.45 грн
100+ 88.79 грн
250+ 82.12 грн
500+ 74.77 грн
1000+ 63.96 грн
1500+ 61.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD024N06CT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd024n06c-d.pdf
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD024N06CT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd024n06c-d.pdf N Channel Power MOSFET
товар відсутній