Продукція > ONSEMI > NVMS5P02R2G
NVMS5P02R2G

NVMS5P02R2G onsemi

NTMS5P02R2_D-2319237.pdf Виробник: onsemi
MOSFET PFET S08S 20V 5.4A 0.033R
на замовлення 5247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.73 грн
10+ 55.91 грн
100+ 40.62 грн
500+ 36.36 грн
1000+ 30.03 грн
2500+ 27.9 грн
5000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMS5P02R2G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V.

Інші пропозиції NVMS5P02R2G за ціною від 34.3 грн до 83.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMS5P02R2G NVMS5P02R2G Виробник : onsemi ntms5p02r2-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.56 грн
10+ 71.87 грн
100+ 56.05 грн
500+ 43.45 грн
1000+ 34.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMS5P02R2G NVMS5P02R2G Виробник : ON Semiconductor ntms5p02r2-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.05A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NVMS5P02R2G NVMS5P02R2G Виробник : onsemi ntms5p02r2-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
товар відсутній