NVTFS5116PLTAG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 43.44 грн |
| 500+ | 34.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS5116PLTAG ONSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTFS5116PLTAG за ціною від 20.72 грн до 76.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS5116PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NVTFS5116PLTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS5116PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NVTFS5116PLTAG | Виробник : onsemi |
MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm |
на замовлення 19592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS5116PLTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm |
на замовлення 5936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -10A Power dissipation: 1.6W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -10A Power dissipation: 1.6W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
NVTFS5116PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
NVTFS5116PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
NVTFS5116PLTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |