Продукція > ONSEMI > NVXR17S90M2SPC
NVXR17S90M2SPC

NVXR17S90M2SPC onsemi


NVXR17S90M2SPC_D-3386178.pdf Виробник: onsemi
Discrete Semiconductor Modules SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPC
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+215686.37 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVXR17S90M2SPC onsemi

Description: SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPC, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1kW (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45000pF @ 400V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 620A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2400nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 200mA, Supplier Device Package: SSDC39, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVXR17S90M2SPC за ціною від 195922.4 грн до 195922.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVXR17S90M2SPC Виробник : onsemi nvxr17s90m2spc-d.pdf Description: SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPC
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45000pF @ 400V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 620A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2400nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 200mA
Supplier Device Package: SSDC39
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+195922.4 грн