NX3008CBKS,115 NEXPERIA
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008CBKS,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NX3008CBKS,115 за ціною від 4.19 грн до 33.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX3008CBKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008CBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.35/-0.2A Power dissipation: 0.99W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4/4.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68/0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008CBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.35/-0.2A Power dissipation: 0.99W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4/4.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68/0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1844 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008CBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1 Verlustleistung, p-Kanal: 280 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 15145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008CBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 42760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008CBKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 34658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008CBKS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET NX3008CBKS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 65248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|