NXH004P120M3F2PTHG onsemi
Виробник: onsemiDescription: ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13421.05 грн |
| 20+ | 12105.03 грн |
| 40+ | 11649.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH004P120M3F2PTHG onsemi
Description: ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 785W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA, Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8).
Інші пропозиції NXH004P120M3F2PTHG за ціною від 11170.83 грн до 14376.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH004P120M3F2PTHG | Виробник : onsemi |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NXH004P120M3F2PTHG | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide Module -Elite SIC, 4mohm SIC M3 MOSFET |
товар відсутній |