NXH40T120L3Q1SG ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 42A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
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Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 42A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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1+ | 18298.18 грн |
5+ | 17932.31 грн |
10+ | 17566.43 грн |
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Технічний опис NXH40T120L3Q1SG ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 42A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 146W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 146W, Bauform - Transistor: PIM, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: NXH40T120L3Q1, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 42A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції NXH40T120L3Q1SG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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NXH40T120L3Q1SG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT MODULE SUNGROW 20KW Q1PACK Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A NTC Thermistor: Yes Part Status: Active Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA |
товар відсутній |
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NXH40T120L3Q1SG | Виробник : onsemi | IGBT Modules SUNGROW 20KW Q1PACK |
товар відсутній |