Продукція > ONSEMI > NXH80B120MNQ0SNG
NXH80B120MNQ0SNG

NXH80B120MNQ0SNG onsemi


NXH80B120MNQ0_D-2905953.pdf Виробник: onsemi
Discrete Semiconductor Modules Full SiC MOSFET Module EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC Diode Nickel-plated DBC
на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6588.78 грн
10+ 5992.01 грн
48+ 4583.38 грн
120+ 4508.32 грн
264+ 4429.27 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH80B120MNQ0SNG onsemi

Description: PIM POWER MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Dual Boost Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5), Part Status: Active, Power - Max: 69 W.

Інші пропозиції NXH80B120MNQ0SNG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NXH80B120MNQ0SNG Виробник : onsemi nxh80b120mnq0-d.pdf Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Active
Power - Max: 69 W
товар відсутній