NXH80T120L2Q0S2G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4808.53 грн |
5+ | 4504.5 грн |
10+ | 4200.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH80T120L2Q0S2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V, Dauer-Kollektorstrom: 67A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V, Verlustleistung Pd: 158mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158mW, Bauform - Transistor: PIM, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 67A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NXH80T120L2Q0S2G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NXH80T120L2Q0S2G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
NXH80T120L2Q0S2G | Виробник : onsemi | Description: PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
NXH80T120L2Q0S2G | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 67A 158000mW 20-Pin Q0PACK Tray |
товар відсутній |
||
NXH80T120L2Q0S2G | Виробник : onsemi | IGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC STANDARD PINOUT |
товар відсутній |