P0R5B60HP2-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.18 грн |
10+ | 36.67 грн |
13+ | 27.4 грн |
25+ | 25.6 грн |
55+ | 14.67 грн |
150+ | 13.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P0R5B60HP2-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A, Mounting: SMD, Case: FB (TO252AA), Polarisation: unipolar, Power dissipation: 35W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 4.3nC, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 2A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 0.5A, On-state resistance: 10Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P0R5B60HP2-5071 за ціною від 16.69 грн до 59.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P0R5B60HP2-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A Mounting: SMD Case: FB (TO252AA) Polarisation: unipolar Power dissipation: 35W Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.3nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 2A Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.5A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|