P10F50HP2-5600 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.81 грн |
17+ | 47.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P10F50HP2-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W, Case: FTO-220AG (SC91), Mounting: THT, Kind of package: bulk, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 10A, On-state resistance: 0.75Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 20nC, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 79W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P10F50HP2-5600 за ціною від 54.24 грн до 86.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P10F50HP2-5600 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 79W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
P10F50HP2-5600 | Виробник : Shindengen | MOSFET High Switching Speed High Voltage |
товар відсутній |