P10F60HP2-5600 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 61.2 грн |
17+ | 49.38 грн |
45+ | 46.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P10F60HP2-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W, Case: FTO-220AG (SC91), Mounting: THT, Kind of package: bulk, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, On-state resistance: 0.8Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 23nC, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 85W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P10F60HP2-5600 за ціною від 55.91 грн до 100.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P10F60HP2-5600 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 85W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 348 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
P10F60HP2-5600 | Виробник : Shindengen Electric Manufacturing Co. | P10F60HP2-5600 |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
P10F60HP2-5600 | Виробник : Shindengen | MOSFET Mosfet |
товар відсутній |