P140LF4QN-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 61.58 грн |
18+ | 46.36 грн |
48+ | 44.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P140LF4QN-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS4, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 140A, Pulsed drain current: 560A, Power dissipation: 217W, Case: LF (MO235B similar), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.48mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 96nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P140LF4QN-5071 за ціною від 53.14 грн до 88.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P140LF4QN-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4919 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|