Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > P2000DL45X168APTHPSA1

P2000DL45X168APTHPSA1 Infineon Technologies


infineon-p2000dl45x168-datasheet-v03_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Press Pack IGBT
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P2000DL45X168APTHPSA1 Infineon Technologies

Description: PRESS PACK IGBT BG-P16826K-1, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200AE, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2000A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: BG-P16826K-1, IGBT Type: Trench, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V.

Інші пропозиції P2000DL45X168APTHPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
P2000DL45X168APTHPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-P2000DL45X168-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facf50b1340af SP005742884
товар відсутній
P2000DL45X168APTHPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-P2000DL45X168-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facf50b1340af Description: PRESS PACK IGBT BG-P16826K-1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: BG-P16826K-1
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V
товар відсутній
P2000DL45X168APTHPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_P2000DL45X168_DataSheet_v03_00_EN-2936425.pdf IGBT Modules
товар відсутній