P30W60HP2V-5100 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGENCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Technology: Hi-PotMOS2
Mounting: THT
Case: MTO3PV (TO247AD)
Kind of package: tube
Power dissipation: 310W
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 483.61 грн |
| 3+ | 338.36 грн |
| 7+ | 320.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P30W60HP2V-5100 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A, Technology: Hi-PotMOS2, Mounting: THT, Case: MTO3PV (TO247AD), Kind of package: tube, Power dissipation: 310W, Drain current: 30A, On-state resistance: 0.23Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 70nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 120A, Drain-source voltage: 600V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P30W60HP2V-5100 за ціною від 384.44 грн до 580.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
P30W60HP2V-5100 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A Technology: Hi-PotMOS2 Mounting: THT Case: MTO3PV (TO247AD) Kind of package: tube Power dissipation: 310W Drain current: 30A On-state resistance: 0.23Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|