P40B10SL-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 66nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 66nC
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 50.93 грн |
9+ | 42.56 грн |
24+ | 34.08 грн |
65+ | 31.99 грн |
500+ | 31.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P40B10SL-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Technology: EETMOS3, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, On-state resistance: 18.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 62.5W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Gate charge: 66nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P40B10SL-5071 за ціною від 37.8 грн до 53.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P40B10SL-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 18.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Gate charge: 66nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2027 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|