P40F12SN-5600 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 117nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: FTO-220AG (SC91)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 117nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: FTO-220AG (SC91)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.89 грн |
5+ | 78.88 грн |
14+ | 59.51 грн |
37+ | 56.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P40F12SN-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W, Mounting: THT, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 40A, On-state resistance: 11.9mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 51W, Polarisation: unipolar, Kind of package: bulk, Gate charge: 117nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 160A, Case: FTO-220AG (SC91), кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P40F12SN-5600 за ціною від 67.26 грн до 112.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P40F12SN-5600 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Mounting: THT Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A On-state resistance: 11.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 51W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 117nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: FTO-220AG (SC91) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
P40F12SN-5600 | Виробник : Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товар відсутній |