P40LF12SL-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.52 грн |
6+ | 62.27 грн |
18+ | 46.36 грн |
48+ | 44.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P40LF12SL-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 217W, Case: LF (MO235B similar), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 16.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 102nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P40LF12SL-5071 за ціною від 53.14 грн до 89.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P40LF12SL-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|