P8B10SB-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 22.99 грн |
25+ | 19.33 грн |
53+ | 15.48 грн |
144+ | 14.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P8B10SB-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Technology: EETMOS3, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 8A, On-state resistance: 94mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 20W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 24A, Gate charge: 16.5nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P8B10SB-5071 за ціною від 17.19 грн до 27.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P8B10SB-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 8A On-state resistance: 94mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 24A Gate charge: 16.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|