PBHV8115T-QR NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 19.47 грн |
| 500+ | 13.56 грн |
| 1000+ | 9.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBHV8115T-QR NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції PBHV8115T-QR за ціною від 8.28 грн до 39.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBHV8115T-QR | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBHV8115T-Q/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 6757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBHV8115T-QR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115T-QR | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PBHV8115T-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PBHV8115T-Q/SOT23/TO-236AB |
товар відсутній |