PBRP113ET,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBRP113ET,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 570mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PBRP113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V.
Інші пропозиції PBRP113ET,215 за ціною від 2.63 грн до 26.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBRP113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBRP113ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBRP113ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBRP113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBRP113ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
на замовлення 5760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBRP113ET,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PBRP113ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 17990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBRP113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 40V 800mA 570mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PBRP113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.6A; SOT23,TO236AB; R1: 1.3kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1.3kΩ Base-emitter resistor: 1.1kΩ кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBRP113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.6A; SOT23,TO236AB; R1: 1.3kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1.3kΩ Base-emitter resistor: 1.1kΩ |
товар відсутній |