Продукція > NEXPERIA > PBSS4140T-QR
PBSS4140T-QR

PBSS4140T-QR Nexperia


PBSS4140T_Q-2938188.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS4140T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.08 грн
14+ 23.05 грн
100+ 12.52 грн
1000+ 6.59 грн
3000+ 5.19 грн
9000+ 5.06 грн
24000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4140T-QR Nexperia

Description: PBSS4140T-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBSS4140T-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PBSS4140T-QR PBSS4140T-QR Виробник : NEXPERIA pbss4140t-q.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1A 450mW 3-Pin SOT-23
товар відсутній
PBSS4140T-QR PBSS4140T-QR Виробник : Nexperia pbss4140t-q.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
товар відсутній
PBSS4140T-QR PBSS4140T-QR Виробник : NEXPERIA PBSS4140T-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 1A; 450mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200...900
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PBSS4140T-QR PBSS4140T-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4140T-Q.pdf Description: PBSS4140T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PBSS4140T-QR PBSS4140T-QR Виробник : NEXPERIA PBSS4140T-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 1A; 450mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200...900
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
товар відсутній