PBSS4160DPN,115 Nexperia
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.68 грн |
9000+ | 6.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4160DPN,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4160DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 700 mW, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Verlustleistung, PNP: 700mW, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-457, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, Dauer-Kollektorstrom: 1A, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, rohsCompliant: YES, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Verlustleistung, NPN: 700mW, Qualifikation: -, Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, Transistormontage: Oberflächenmontage, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PBSS4160DPN,115 за ціною від 5.38 грн до 28.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRAN NPN/PNP 60V 870/770MA 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 420mW Current - Collector (Ic) (Max): 870mA, 770mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz, 185MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1086000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 987000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 700 mW tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, PNP: 700mW DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-457 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE Dauer-Kollektorstrom: 1A euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW rohsCompliant: YES Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Verlustleistung, NPN: 700mW Qualifikation: - Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V Transistormontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1/-0.9A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Mounting: SMD Power dissipation: 0.56W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Frequency: 220MHz Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1/-0.9A Type of transistor: NPN / PNP |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1/-0.9A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Mounting: SMD Power dissipation: 0.56W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Frequency: 220MHz Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1/-0.9A Type of transistor: NPN / PNP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 384 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 700 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 700mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRAN NPN/PNP 60V 870/770MA 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 420mW Current - Collector (Ic) (Max): 870mA, 770mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz, 185MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 9011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4160DPN/SOT457/SC-74 |
на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PBSS4160DPN,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |