PBSS4160T,215 Nexperia
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18000+ | 2.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4160T,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PBSS4160T,215 за ціною від 3.33 грн до 29.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS4160T,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Frequency: 220MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...400 Collector current: 1A Type of transistor: NPN |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Frequency: 220MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...400 Collector current: 1A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 645 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 23752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4160T/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 17592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4160T,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |