PBSS4260QAZ NXP Semiconductors
на замовлення 305000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3904+ | 5.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4260QAZ NXP Semiconductors
Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 325 mW, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PBSS4260QAZ за ціною від 5.31 грн до 34.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4260QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4260QAZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4260QA/SOT1215/DFN1010D-3 |
на замовлення 5146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4260QAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PBSS4260QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4260QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |