PBSS4612PA,115 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PBSS4612PA - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 77980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2777+ | 7.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4612PA,115 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PBSS4612PA - SMALL SIGN, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 2.1 W.
Інші пропозиції PBSS4612PA,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4612PA,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 12V 6A NPN LO VCEsat TRANSISTOR |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |